真空提纯炉
应用于半导体行业，金属材料的提纯结晶，金属材料的纯度影响半导体芯片等产品的导电性能，故溅射靶材对金属材料的纯度提出了相当高的要求。设备由多级加热室组成，每级加热室的温度不同，通过多温度段加热实现不同蒸发物在不同位置的结晶收集。
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设备用途及特征：
应用于半导体行业，金属材料的提纯结晶，金属材料的纯度影响半导体芯片等产品的导电性能，故溅射靶材对金属材料的纯度提出了相当高的要求。设备由多级加热室组成，每级加热室的温度不同，通过多温度段加热实现不同蒸发物在不同位置的结晶收集。
设备主要技术参数：
|
参数型号 |
工作区尺寸 W×H×L(mm) |
装载重量(不代表装炉量)(kg) |
最高温度(℃) |
温度均匀性(℃) |
加热功率(kW) |
极限真空度(Pa) |
压升率(Pa/h) |
|
VDDS-030306 |
300×300×600 |
100 |
2200 |
±4 |
75 |
2 |
≤0.67 |
|
VDSD-040408 |
400×400×800 |
200 |
2200 |
±4 |
90 |
2 |
≤0.67 |
|
VDSD-040415 |
400×400×1500 |
400 |
2200 |
±5 |
120 |
2 |
≤0.67 |
|
VDSD-050520 |
500×500×2000 |
900 |
2200 |
±5 |
210 |
2 |
≤0.67 |
|
VDSD-060630 |
600×600×3000 |
1800 |
2200 |
±5 |
315 |
2 |
≤0.67 |
|
VDSD-070740 |
700×700×4000 |
3500 |
2200 |
±5 |
450 |
2 |
≤0.67 |
|
VDSD-080850 |
800×800×5000 |
5200 |
2200 |
±5 |
600 |
2 |
≤0.67 |
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